RTP快速退火炉的特点与技术指标

日期：2024-04-27 22:20

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摘要：

RTP快速退火炉可用于砷化镓、硅以及其他半导体材料，离子注入后的退火、硅化物的形成、欧姆接触制备以及快速氧化、快速氮化等方面。RTP快速退火炉，快速热处理设备（RTP）具有快速升降温、慢速升降温、和长工作时间稳定等特点。也可用于各种半导体材料的CVD工艺的热处理。

RTP快速退火炉主要技术指标

　　l、外形尺寸：550×650×650mm（长×宽×高）

　　2、炉内体尺寸：327×249×123mm（长×宽×高）

　 3、工作室采用进口GE石英，外径尺寸：290×230×24mm（长×宽×高）；表面进行磨砂处理

　　4、不锈钢反应室上下反射面聚焦设计，内表面采用镀金处理，减小热损失，极大提高了反射效率

　　5、水冷却，确保灯箱散热与快速降温

　　6、风扇冷却保证加热灯的冷却

　　7、*大温度范围150℃—1000℃，K型热电偶

　　8、升温速率：0.01—100℃/s可预设定

　　9、气体：两路美国进口浮子流量计控制，流量：0—5L/min

　　10、采用欧陆2604高精度温控仪控制温度

　　11、可编程多条温度曲线

　　l2、双闭环控制温度，稳态温度稳定性±1℃

　　l3、光源：1200W×21只卤钨灯

　　l4、电源：AC380V；63A三相

　　l5、有效加热区：180×180mm

　　l6、石英承片架Ф160mm；配6英寸硅片承片板

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