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ALD原子层沉积系统 原子层沉积（ALD）系统是一种用于在基板表面沉积超薄膜的精密设备，具有原子级别的厚度控制能力。ALD系统通常用于半导体制...
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派瑞林真空气相沉积 派瑞林真空气相沉积是一种专业的产品，用于在材料表面上制备薄膜。它采用了在真空环境中使用气相化学反应来沉积薄膜的先进过程。...
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迷你石墨烯CVD设备 迷你石墨烯CVD设备专为石墨烯生产设计配有高精度质量流量计以及薄膜真空规。迷你石墨烯CVD设备同时设备配有可燃气体检测装...
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1200℃高真空迷你C... 1200℃高真空迷你CVD设备核心是一款迷你管式炉，采用电阻丝加热。1200℃高真空迷你CVD设备包含一台三路浮子流量计...
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晶圆级大尺寸二硫化钼制... 晶圆级大尺寸二硫化钼制备CVD设备包括三温区管式炉，特殊设计的炉管及配套气路一组，晶圆级大尺寸二硫化钼制备CVD设备通过...
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R-PECVD真空旋... R-PECVD真空旋转等离子增强CVD设备由旋转及倾斜机构、单温区管式炉、等离子发生机构、质量流量计供气系统、高真空分子...
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双温区CVD系统 双温区CVD系统由1200℃双温区管式炉、双通道质量流量计和低噪音双极旋片真空泵组成。双温区CVD系统管式炉的两个温区分...
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1500℃单温区3路质... 1500℃单温区3路质量流量计高真空CVD系统由1500℃单温区管式炉、三路质量流量计和高真空分子泵组组成。管式炉由精密...
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1500℃单温区3路质... 1500℃单温区3路质量供气低真空CVD系统由1500℃单温区管式炉、三路质量流量计和双极旋片真空泵组成。管式炉由精密控...
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1500℃单温区3路浮... 1500℃单温区3路浮子供气高真空CVD系统由1500℃单温区管式炉、三路浮子流量计和高真空分子泵组组成。管式炉由精密控...
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1500℃单温区3路浮... 1500℃单温区3路浮子供气低真空CVD系统由1500℃单温区管式炉、三路浮子流量计和双极旋片真空泵组成。管式炉由精密控...
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1200℃三温区3路质... 1200℃三温区3路质量供气高真空CVD系统由三温区管式炉、三路质量流量计和高真空分子泵组组成。管式炉三个温区分别由精密...
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1200℃三温区3路质... 1200℃三温区3路质量供气低真空CVD系统由三温区管式炉、三路质量流量计和双极旋片真空泵组成。管式炉三个温区分别由精密...
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1200℃双温区3路质... 1200℃双温区3路质量供气高真空CVD系统由双温区管式炉、三路质量流量计和高真空分子泵组组成。管式炉两个温区分别由精密...
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1200℃双温区3路质... 1200℃双温区3路质量供气低真空CVD系统由双温区管式炉、三路质量流量计和双极旋片真空泵组成。管式炉两个温区分别由精密...
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1200℃双温区3路浮... 1200℃双温区3路浮子供气高真空CVD系统由双温区管式炉和三路浮子流量计组成。管式炉两个温区分别由精密控温仪表独立控温...
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1200℃双温区3路浮... 1200℃双温区3路浮子供气低真空CVD系统由双温区管式炉、三路浮子流量计和双极旋片真空泵组成。管式炉两个温区分别由精密...
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1200℃三温区3路浮... 1200℃三温区3路浮子供气高真空CVD系统由三温区管式炉、三路浮子流量计和高真空分子泵组组成。管式炉三个温区分别由精密...
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1200℃三温区3路浮... 1200℃三温区3路浮子供气低真空CVD系统由三温区管式炉、三路浮子流量计和双极旋片真空泵组成。管式炉三个温区分别由精密...
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1700℃两路浮子供气... 该管式炉可以用于抽真空和通气氛，所以又叫真空管式炉和气氛管式炉。炉管材质采用高纯氧化铝,*高可在1650℃的高温工作。为...
