PECVD系统性能指标的说明

日期：2024-04-15 10:14

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摘要：

PECVD系统薄膜制备设备，适合于半导体、集成电路、光电科学、电子信息、纳米技术等领域研究，可以在各种尺寸和形状的基底上沉积可以多种薄膜。

PECVD系统性能指标：

1、PECVD是前段预热双温区滑轨结构，集真空系统、供气流量系统、射频源、自动推进、加热于一体，并将所有控制集成于触屏操控界面之中。

2、PECVD电源范围：0~500 W可调，温度范围：100~1200 ℃可调，溅射区域长度：2000 mm。

3、适用范围：金属薄膜，陶瓷薄膜等，复合薄膜，连续生长各种薄膜等。

4、双温区滑轨炉：带有预热炉，*高温度为1100 ℃；

5、等离子射频发生器：输出功率5~500 W可调；射频电源频率13.56 MHz；冷却方式为空气冷却；输入电源:208~240 VAC，50/60 Hz；

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