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提拉法单晶生长设备，采用真空悬浮熔炼，其温度可达2100°C。此系统包含一个高频感应电源，高真空腔体，水冷铜坩埚（用于是浮熔炼）和精密提拉机构。悬浮熔炼避免了样品被坩埚污染，可以得到高纯度的金属单晶.
提拉法晶体生长炉在jing确控制的环境下，将一小块作为“种子”的单晶与同质材料的熔体接触，然后通过缓慢地向上提拉和旋转，使熔体在种子晶体上按原有晶格结构不断外延生长，zui终形成一根较大的单晶棒
提拉法之所以成为制备电子级和光学级单晶的主流方法，主要归功于其以下显著优点:
1.晶体质量高
2.可生长大尺寸、完整性好的单晶
3.生长速度快，效率较高
4.可直观观察和控制生长过程
5.能够控制晶体的取向
6.可生长高熔点晶体
应用领域:
1.微电子工业
2.光电子产业
3.半导体照明与显示
4.光学元件
5.科学研究
提拉法晶体生长炉是一种能够制备高质量大尺寸单晶的关键设备，其技术优势明显，在从基础科学研究到现代信息产业、gao端制造业等众多领域都扮演着不可或缺的角色
技术参数:
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产品名称 |
晶体生长炉 |
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产品型号 |
CY-02100°C-CZ-D8001000-T |
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工作电压 |
240V AC，0.2-29 kHz，三相 |
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工作电流 |
100A |
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zui大功耗 |
50 KW |
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熔化温度 |
zui高：2100°C (3812°F) |
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精度 |
< +/- 0.2°C，采用 Euro-thermo 温控器 |
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zui大真空度 |
10-3 torr，采用机械泵（含） |
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真空室尺寸 |
500mm（直径）x 700mm（高） |
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水冷方式 |
水流经真空室夹套和晶种棒 |
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水压 |
0.13 - 0.18 MPa |
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水流量 |
60 L/分钟 |
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控制器 |
电子操作单元，用于控制拉晶、旋转和温度 |
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拉晶器 |
由恒转矩直流电机驱动 |
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拉晶速率 |
0.1-20mm/h |
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zui大籽晶棒移动距离 |
400mm |
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旋转速度 |
0-40 RPM |
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坩埚棒升降速度 |
手动 |
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坩埚棒zui大移动距离 |
100mm |
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产品尺寸
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晶体生长控制器 |
880mm(长) x 1250mm(宽) x 2850mm(高) |
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控制单元 |
680mm(长) x 540mm(宽) x 1700mm(高) |
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射频电源 |
800mm(长) x 500mm(宽) x 1500mm(高) |
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