产品名称：卤素灯RTP退火炉

卤素灯RTP退火炉是一款12寸片快速退火炉，采用革新的加热技术，可实现真正的基底温度测量，不需要采用传统快速退火炉的温度补偿，温度控制**，温度重复性高，客户包括国际上许多半导体公司及知名科研团队，是半导体制程退火工艺的理想选择.

卤素灯RTP退火炉技术特色：

 • 真正的基片温度测量，无需传统的温度补偿

• 红外卤素管灯加热

• 极其优异的加热温度**性与均匀性

• 快速数字PID温度控制

• 不锈钢冷壁真空腔室

• 系统稳定性好

• 结构紧凑，小型桌面系统

• 带触摸屏的PC控制

• 兼容常压和真空环境，真空度标准值为5×10-3Torr，采用二级分子泵真空度低至5×10-6Torr

• *高3路气体（MFC控制）

• 没有交叉污染，没有金属污染

真实基底温度测量技术介绍:

如上图，由阵列式卤素灯辐射出热量经过石英窗口到达样品表面，样品被加热，传统的快速退火炉采用热电偶进行测量基片温度，由于热电偶与基片有一定距离，测量的不是基片真实的温度，必须进行温度补偿。

  卤素灯RTP退火炉采用专用的一根片状的Real T/C KIT进行测温，如上图，接触测温仪与片状Real T/C KIT相连，工作时片状Real T/C KIT位于样品上方很近的位置，阵列式卤素灯辐射出热量经过石英窗口到达样品表面，样品被加热，片状Real T/C KIT同时被加热，由于基片与Real T/C KIT很近，它们之间也会进行热量传递，并很快达到热平衡，所以片状Real T/C KIT测量的温度就无限接近基片真实的温度，从而实现基片温度的真实测量。

技术参数：

产品名称	RTP快速退火炉【柜式】
产品型号	CY-RTP1000-T12-L
腔体尺寸	12英寸
基片尺寸	≤12英寸
升温速率	A型为标准配置：≤100℃/S,供电要求:AC220V/50Hz/60Hz，功率50KW
降温速率	10°C－50°C /s
控温模式	可预设曲线，按流程控温
控温精度	±1℃
工作温度	≤1000℃
测温位置	测温点置于样品处
密封法兰	水冷式
工作真空	6.7×10-5Pa～105Pa均可
可通气氛	可通：氮气，氩气，氧气等非危险、非腐蚀气体；如需计量需选配相应的MFC，需要额外计价。
	气体质量流量计CY-S48
真空测量	标准配置：复合真空计，量程10-5Pa～105Pa
真空系统	标准配置：VRD4+600L/S分子泵组。
	真空泵CY-4C
供电要求	要求配备32A2P空气开关，电源电压AC220V/50Hz/60Hz
水冷机组	水箱容量40L，zui大扬程44m
整机尺寸	620mm*650mm*870mm
包装尺寸	780mm*950mm*1000mm
包装重量	230KG
随机配件	1、说明书1本
	2、随机配件1套
	3、配件清单1份

基片类型:

• Silicon wafers硅片

• Compound semiconductor wafers化合物半导体基片

• GaN/Sapphire wafers for LEDs 用于LED的GaN/蓝宝石基片

• Silicon carbide wafers碳化硅基片

• Poly silicon wafers for solar cells用于太阳能电池的多晶硅基片

• Glass substrates玻璃基片

• Metals金属

• Polymers聚合物

• Graphite and silicon carbide susceptors石墨和镀碳化硅的石墨基座

卤素灯RTP退火炉应用领域：

离子注入/接触退火，快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)，可在真空、惰性气氛、氧气、氢气、混合气等不同环境下使用，SiAu, SiAl, SiMo合金化，低介电材料，晶体化，致密化，太阳能电池片键合等