产品名称：卤素灯RTP立式快速退火炉

卤素灯RTP立式快速退火炉是一款8寸片快速退火炉，采用革新的加热技术，可实现真正的基底温度测量，不需要采用传统快速退火炉的温度补偿，温度控制**，温度重复性高，客户包括国际上许多半导体公司及知名科研团队，是半导体制程退火工艺的理想选择。

卤素灯RTP立式快速退火炉技术参数：

基片尺寸	8英寸
基片基座	石英针（可选配SiC涂层石墨基座）
温度范围	150-1250℃
加热速率	10-150℃/S
温度均匀性	≤±1.5% (@800℃, Silicon wafer) ≤±1.0% (@800℃, Substrate on SiC coated graphite susceptor)
温度控制精度	≤ ±3℃
温度重复性	≤ ±3℃
真空度	5.0E-3 Torr / 5.0E-6 Torr
气路供应	标准1路N2吹扫及冷却气路，由MFC控制（*多可选3路）
退火持续时间	≥35min@1250℃
温度控制	快速数字PID控制
尺寸	900mm*650mm*1600mm