产品名称：RTP快速退火炉柜式

RTP快速退火炉是一种用于半导体制造和材料处理的设备，其核心特点是快速升降温和jingque温控，适用于短时高温工艺。

RTP快速退火炉应用领域：

1、活化离子注入杂质，形成超薄结合。离子注入是半导体制造工艺中非常重要的一道工序，是用来把改变导电率的搀杂材料注入半导体晶片的标准工艺技术。

2、制作高质量的 SiO,膜层。IC 制造对氧化膜层提出了很高的要求其中zui基本的要求使膜层更薄，采用传统的技术即通过降低氧化反应的温度来降低氧化速率即会带来另一个问题，生长温度的降低会导致固定电荷和界面密度增加，影响氧化层质量。RTP热氧化工艺可以在合适的高温下实现短时间的氧化。另一方面，可以利用往腔体内通入氩或其它惰性气体来稀释氧气达到降低氧化速率的目的。

3、用于金属硅化物合金形成。RTP快速退火炉被广泛地用于在器件中制备金属硅化物。

RTP快速退火炉产品特点：

1. 结构紧凑，节省空间；

2. 快速升降温；

3. 精准温控与均匀性；

4.气氛控制灵活；

RTP快速退火炉技术参数：

产品名称	RTP快速退火炉【柜式】
产品型号	CY-RTP1000-T12-H
腔体尺寸	12英寸
基片尺寸	≤12英寸
升温速率	B型为标准配置：≤200℃/S,供电要求:AC380V/50Hz/60Hz，功率50KW
降温速率	10°C－50°C /s
控温模式	可预设曲线，按流程控温
控温精度	±1℃
工作温度	≤1000℃
测温位置	测温点置于样品处
密封法兰	水冷式
工作真空	6.7×10-5Pa～105Pa均可
可通气氛	可通：氮气，氩气，氧气等非危险、非腐蚀气体；如需计量需选配相应的MFC，需要额外计价。
	气体质量流量计CY-S48
真空测量	标准配置：复合真空计，量程10-5Pa～105Pa
真空系统	标准配置：VRD4+600L/S分子泵组。
	真空泵CY-4C
供电要求	要求配备32A2P空气开关，电源电压AC380V/50Hz/60Hz
水冷机组	水箱容量40L，zui大扬程44m
整机尺寸	620mm*650mm*870mm
包装尺寸	780mm*950mm*1000mm
包装重量	230KG
随机配件	1、说明书1本
	2、随机配件1套
	3、配件清单1份

基片类型:

• Silicon wafers硅片

• Compound semiconductor wafers化合物半导体基片

• GaN/Sapphire wafers for LEDs 用于LED的GaN/蓝宝石基片

• Silicon carbide wafers碳化硅基片

• Poly silicon wafers for solar cells用于太阳能电池的多晶硅基片

• Glass substrates玻璃基片

• Metals金属

• Polymers聚合物

• Graphite and silicon carbide susceptors石墨和镀碳化硅的石墨基座