Name: 磷化铟单晶炉(VGF)
Brand: 成越科仪
SKU: CY-VGF-F

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产品名称：磷化铟单晶炉(VGF)
产品型号：CY-VGF-F
产品厂商：成越科仪
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简单介绍：

磷化铟单晶炉是用于磷化铟（InP）化合物半导体单晶生长的专用设备，主要采用高压垂直梯度凝固（VGF）及液封直拉（LEC）等工艺，为光通信、高频电子器件等领域提供高质量磷化铟衬底材料

详情介绍：

一、磷化铟单晶炉产品简介

磷化铟单晶炉是用于磷化铟（InP）化合物半导体单晶生长的专用设备，主要采用高压垂直梯度凝固（VGF）及液封直拉（LEC）等工艺，为光通信、高频电子器件等领域提供高质量磷化铟衬底材料。

设备采用立式高压腔体结构，zui高设计压力可达5MPa，适应磷化铟在高温下磷组元易挥发、须在高气压环境抑制挥发并进行单晶生长的工艺要求。炉体配备五段独立控温热场，温度控制范围800～1250℃，恒温区长度大于180mm，恒温区内上下两点温差控制在±0.1℃以内，能够为晶体的稳定生长提供均匀、jing确的热环境。

设备加热部分采用螺旋缠绕抽头方式的炉丝布置，并配置高精度智能温控系统，zui高工作温度可达1300℃；控制系统基于计算机、PLC与高精度智能温控器协同工作，支持GEM/SECS通讯，可与EAP系统对接并实现远端工艺下载，满足自动化、可追溯的规模化生产需求。

二、磷化铟单晶炉应用领域

磷化铟单晶炉生产的磷化铟单晶及衬底材料，广泛应用于以下领域：

光通信：用于激光器、光探测器、调制器等光电子器件的制造，是光纤通信高速、长距离传输的核心衬底材料。

高频射频电子器件：用于高速集成电路、射频/微波器件（如高电子迁移率晶体管HEMT、异质结双极晶体管HBT）的衬底，应用于5G通信、雷达等高频场景。

光电传感与探测器：用于红外探测器、光电探测器及量子级联激光器等器件的制备。

新能源与光伏：用于高效薄膜太阳能电池的衬底与外延。

科研与器件研发：为高校、科研院所及半导体企业提供高质量磷化铟单晶衬底，支撑新型化合物半导体器件的研发与中试。

三、磷化铟单晶炉技术参数

产品名称	磷化铟单晶炉
产品型号	CY-VGF-F
腔体	形式	立式
	腔体材质	S30408不锈钢
	适配晶体尺寸	6英寸
	设计压力	5MPa（遵照《中华人民共和国国家标准·压力容器》（GB150.1～150.4-2011）执行，乙方提供全套压力容器设计资质及相关证明文件）
	机械an全阀	3.5MPa开启
	腔体水冷	采用螺旋结构冷却水路，冷却均匀高效
	工艺压力	2.75MPa
	端盖锁紧	配备专用锁紧工具，采用手动锁紧方式，密封可靠
	高压腔过压保护	配置高精度an全阀，实现过压自动保护
	旋转角度	可旋转45°-90°，便于操作和维护
加热炉	升、降温速率	根据设定温度与实际温度的温差自动调节，适配不同工艺需求
	控温段数	5段，控温精度高，热场均匀
	炉丝布置方式	螺旋缠绕抽头方式，加热均匀，使用寿命长
	加热电极	加热电极穿过法兰，已做耐高温绝缘处理，杜绝漏电隐患
温度控制	zui高工作温度	1300℃
	升温速率	0-15℃/min，可按需调节
	报警检测	具备异常情况报警功能，发出声光报警信号，及时提醒操作人员排查故障，保障设备及人员an全
	控制方式	计算机+PLC+高精度智能温控器，实现自动化精准控温，支持GEM/SECS通讯，可与EAP系统对接，支持远端工艺下载

产品名称：磷化铟单晶炉(VGF)