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液相外延（Liquid Phase Epitaxy，LPE）是一种以高温过饱和溶液为介质、在单晶衬底表面外延生长同质或异质单晶薄膜的技术。液相外延（LPE）晶体炉是该技术的精密专用装备，采用液相结晶成型原理：将高纯原料按配方比例配制后，在铂金坩埚中高温熔融并充分均匀化，再将经过精密加工的单晶衬底浸入过饱和熔体，通过ing确控制熔体温度、衬底旋转速率与生长时间，在衬底表面逐层外延生长出厚度可控、晶格匹配、结晶质量优良的单晶外延层。
本设备可高效完成法拉第旋光片外延层的制备，适配 BIG、YIG、RIG、TGG、TSAG 等主流磁光单晶材料的生长制备，广泛用于光通信隔离器、磁光开关、光环行器等非互易磁光器件的核心材料生产，是磁光晶体功能材料研发与规模化制备的理想装备。
液相外延晶体炉应用领域：
光通信器件：法拉第隔离器、磁光开关、光环行器、可变光衰减器等所用法拉第旋光片的核心外延层制备；磁光晶体材料研发与制备：YIG、Bi:YIG（BIG）、RIG（Bi:RIG、La:YIG）、Bi:TmIG 等石榴石磁光单晶薄膜的生长；
集成光子与光电子器件：磁光波导、片上光隔离器、非互易集成光子器件；
太赫兹技术：超厚 RIG 单晶膜及其宽带太赫兹隔离器的制备；
科研教学与实验室：磁光材料、外延工艺、薄膜物理等方向的科学研究和实验教学；
gao端与特种领域：激光隔离、光电对抗等对材料性能要求严苛的应用场景。
液相外延晶体炉技术参数：
|
产品名称 |
液相外延晶体炉 |
|
产品型号 |
CY-LPE-5 |
|
温度 |
800-1250 ℃ |
|
温区数 |
5 个 |
|
生长晶圆尺寸 |
2-6 英寸 |
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温度控制精度 |
±0.1℃ |
|
恒温区 |
>180mm |
|
恒温区内上下两点温差 |
±0.1℃ |
|
坩埚转速 |
5-90rpm 正反转控制，精度 ±0.5rpm |
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籽晶杆转速 |
10-1000rpm 正反转控制，精度 ±0.5rpm |
|
生长气氛 |
空气 / 氧气 / 惰性气体，可选 |
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坩埚 |
高纯铂金坩埚，多种规格可选 |
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控制方式 |
PLC / 工控机自动化 |
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适配材料 |
BIG、YIG、RIG、TGG、TSAG 等磁光单晶材料 |
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外延膜厚度 |
数微米至数百微米，可调 |
注：表中参数为典型配置的工程参考区间，实际参数随晶体体系、坩埚规格与热场方案调整，具体以技术协议为准。
