产品名称：四靶磁控溅射镀膜仪带过渡仓

四靶磁控溅射镀膜仪是我公司自主研发的一款高性价比磁控溅射镀膜设备，具有标准化、模块化、可定制化的特点。磁控靶有1英寸2英寸3英寸4英寸可以选择，客户可以根据所镀基板的大小自主选购；所配电源为500W直流电源和500W射频电源，直流电源可用于金属薄膜的制备，射频电源可用于非金属膜的制备，四个靶可以满足多层或者多次镀膜的需要。若客户有其他镀膜需要，可以定制其他射频电源和脉冲电源，各型电源均有300W到1000W多种规格可选.

设备具有主腔室和过渡舱两部分，过渡舱配有磁力推杆，两个舱室之间装有真空闸板阀；用户可以在主腔室进行溅射工作的同时，在过渡舱装填样品，并进行真空预抽，待主腔室溅射完成后即可将样品通过磁力推杆推入主腔室的样品台。这样的设计能够减少主腔室抽放真空的次数，不仅能有效节省时间，更能保证更好的本地真空，有效提高镀膜质量
四靶磁控溅射镀膜仪可用于制备单层或多层铁电薄膜、导电薄膜、合金薄膜、半导体薄膜、陶瓷薄膜、介质薄膜、光学薄膜、氧化物薄膜、硬质薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。该四靶磁控溅射镀膜仪与同类设备相比，其不仅应用广泛，且具有体积小便于操作的优点，是一款实验室制备材料薄膜的理想设备高真空环境，整个蒸发过程在高真空环境中进行，确保了蒸发原子或分子直接到达基板，避免了空气中杂质的污染，提高了薄膜的质量。高真空条件还有助于减少蒸发材料的氧化，进一步提升了薄膜的纯度和性能。
技术参数:

产品名称	四靶磁控溅射镀膜仪(直流电源+射频电源)
产品型号	CY-MSH500X-IIII-DCDCDCRF-SS
样 品 台	外形尺寸	φ150mm
	控温精度	±1℃
	加热范围	室温～900℃
	可调转速	1-20rpm 可调
磁 控 靶 枪	溅射方向	向下溅射
	摆头靶角度可调范围	-45~45度，配备气动快门
	靶材尺寸	直径4英寸，厚度≦3mm
	绝缘电压	>2000V
	数量	4英寸摆头靶3个；4英寸直靶一个
	冷却方式	水冷
真 空 腔 体	腔体类型	D型腔
	腔体尺寸	Φ500mm × 500mm
	腔体材料	304 不锈钢
	观察窗口	石英窗口，直径φ100mm
	开启方式	前门开启
气 体 控 制	流量控制	3路质量流量计： 量程 0～500SCCM； 量程 0～100SCCM 量程 0～20SCCM
双极脉冲磁控溅射电源	输入电压 380VAC±10%，三相四线制，50-60Hz 输出功率 0-5KW 输出电压 0-1000V 输出电流 *大9A（恒功率时） 输出频率 1KHz -150KHz 输出特性 恒流/恒功率/恒压 冷却方式 风冷 通讯方式 0-5V或0-10V模拟量RS-485 负载持续率 100% 数量 1台
射 频 电 源	电源功率	1000W
	功率输出范围	0W-1000W
	*大输出功率	1000W
	*大反射功率	130W
	射频频率	13.56MHz+/-0.005%稳定性
	数量	1台
直 流 电 源	功率	1000W
	数量	2台
分 子 泵	分子泵抽速	1200L/S
	冷却方式	水冷
	真空度	9.0×10⁻⁴Pa
	前级泵抽气速率	4L/S
	复合真空计	量程 10⁻⁵Pa ~ 10⁵Pa
	数量	1套
	真空阀	电控气动阀
过渡舱	腔体尺寸要适用于*大6英寸的晶圆 配备分子泵组： 前级泵：VRD-4，抽速1.1L/s 分子泵：日本TG60F，抽速60L/s
膜厚测量仪	数量：1套 通道数：单通道 测量精度：1Å 标准传感器石英晶体：6MHz 适用石英晶体尺寸：φ14mm
水冷机	温度控制范围：10～25℃ 额定制冷量：0.75kW 流量：10L/min 冷却水：纯净水
空压机	转速：1380 转/分钟 流量：40 升/分钟 额定排气压力：0.7 兆帕
控制系统	PLC + 14.3 英寸触摸屏