产品名称：激光镀膜设备

激光镀膜设备用途：

激光镀膜设备用于生长光学晶体、铁电体、铁磁体、超导体和有机化合物薄膜材料，适用于生长高熔点、多元素及含有气体元素的复杂层状超晶格薄膜材料。广泛应用于大专院校、科研院所进行薄膜材料的科研与小批量制备。

激光镀膜设备技术参数：

主真空室		球型结构，尺寸Ø 450mm
进样室		圆筒型立式结构，尺寸Ø 150x 150mm
真空系统配置	主真空室	分子泵与机械泵，阀门
	进样室	分子泵与机械泵（与主真空室共用），阀门
极限压力	主真空室	≦6*10-6Pa（经烘烤除气后）
	进样室	≦6*10-3Pa（经烘烤除气后）
恢复真空时间	主真空室	20分钟可达到5*10-3Pa（系统短时间暴露大气并充干燥氮气开始抽气）
	进样室	20分钟可达到5*10-3Pa（系统短时间暴露大气并充干燥氮气开始抽气）
旋转靶台		靶材*大尺寸约60mm；可一次安装4块靶材，可实现公转换靶;每块靶材可自转，转速5~60转/分
基片加热台	样品尺寸	Ø51
	运动方式	基片可连续回转，转速5~60转/分
	加热温度	基片加热zui高温度800Ｃ±1  C，可控可调
气路系统		质量流量控制器1路，充气阀1路
可选部件	激光器装置	配相干201激光器
	激光束扫描装置	二维扫描机械平台，执行两自由度扫描
	计算机控制系统	控制的内容主要有公转换靶，靶自转，样品自转、样品控温、激光束扫描等
设备占地面积	主机	1800 * 1800mm2
	电控柜	700 *700mm2（1个）

免责声明：本站产品介绍内容(包括产品图片、产品描述、技术参数等)，仅供参考。可能由于更新不及时，会造成所述内容与实际情况存在一定的差异，请与本公司销售人员联系确认。本站提供的信息不构成任何要约或承诺，本公司会不定期完善和修改网站任何信息，恕不另行通知，请您见谅。