产品名称：PLD脉冲激光溅射沉积设备

该PLD脉冲激光溅射沉积设备系列设备主要用于生长光学晶体、铁电体、铁磁体、超导体和有机化合物薄膜材料，尤其适用于生长高熔点、多元素及含有气体元素的复杂层状超晶格薄膜材料。

详情介绍：

该PLD脉冲激光溅射沉积设备系列设备主要用于生长光学晶体、铁电体、铁磁体、超导体和有机化合物薄膜材料，尤其适用于生长高熔点、多元素及含有气体元素的复杂层状超晶格薄膜材料。

脉冲激光沉积联合镀膜系统由脉冲激光沉积生长腔、进样腔与磁控溅射预处理腔组成，三个腔体配备独立的真空系统，腔体之间通过传样杆连接。

技术参数:

项目	型号	CY-2PLDM
进样室	材质	不锈钢
	漏率	≤1×10-7Pa.L/s，
	极限真空	≤1×10-5 Pa
	结构	真空腔室上开有连接样品传输杆、真空泵、快开门、真空计、放气阀等对应的法兰接口 独立的真空获得和真空检测组件，包括所需阀门
	尺寸	进样室可容纳≥3个2英寸样品
	加热	配备加热台，可对样品进行加热烘烤除气，配备加热源和温控电源，*高温度≥300℃；
	清洗功能	样品可进行直流放电等离子清洗，并配备高压电源与电机驱动系统
	等离子清洗气体	样品等离子清洗的工作气体为氢气或氧气，配备工作气路
	磁力传样杆	数量2 位置：分别连接脉冲激光沉积成膜室与磁控溅射预处理室
脉冲激光沉积成膜室	真空腔材质	不锈钢
	漏率	≤5×10-8 Pa.L/s
	极限真空	≤1×10-7 Pa
	激光入射石英窗口	数量*2 光路高度1200mm
	观察窗	数量*3 配备观察窗遮挡板
	红外测温窗口	预留红外测温窗口，呈45°夹角倾斜指向样品台
	真空系统	分子泵+机械泵 分子泵抽速：1200L/s 前级泵抽速：8L/s 配置分子泵旁抽机构
	真空测量	全量程复合真空计
	气路	配备2路高精度气路，分别用于氧气和氢气，配备控制针阀和气体质量流量计，气体流量分别是100sccm和5sccm 气体可以通过直线驱动器，靠近样品表面并直接喷向样品
	样品台	旋转靶台可设定速度
	腔体接口	真空腔室上预留连接基板驱动机构、激光靶驱动机构、真空获得和检测、高能量电子枪和荧光屏、进样室等部件的专用接口
激光靶材	数量	靶材数量≥6个
	尺寸	激光照射靶的尺寸≥25
	靶与成膜基板调节范围	30～100mm，可在腔体外进行调整
	旋转	通过靶的公转完成切换； 每块靶材可实现自转，*高转速≥30转/分； 靶的公转和自转通过电机控制，配备控制软件。
基片加热台	基片尺寸	2英寸；
	加热温度	加热机构采用SiC加热片； 配备温控电源，基片加热温度800摄氏度以上，误差小于1度
	移动	基片台可以作四维移动，径向可动范围不小于100mm，横向可动范围不小于20 mm；
	旋转	面内旋转电机驱动，*高转速≥30转/分，连续可调。
反射高能电子衍射枪	系统	配备反射高能电子衍射枪，高能量电子枪、控制电源、荧光屏及真空系统
	高能电子*高能量	≥25keV
	功能	电子束斑有聚焦和偏转功能；
	保护	电子枪带有自锁保护功能
	差分抽	具备差分抽功能，工作*高压强≥10Pa；
	泵和阀门	配备差分抽真空泵和阀门
磁控溅射预处理室	真空腔室	1.不锈钢材质，漏率≤5×10-8   Pa.L/s，极限真空≤1×10-7Pa； 2.观察窗2个，配备观察窗遮挡板； 3.真空获得通过分子泵和机泵组合实现，排气速度1200l/s和8l/s，配备全量程真空计。 4,.真空腔室上预留多个法兰接口，可连接基板驱动机构、磁控溅射靶、氩离子枪、石英振荡膜厚仪、真空获得和检测、进样室等； 配备1路高精度氩气气路，配备控制针阀和气体质量流量计，气体流量100sccm 额外预留1路进气气路接口，并在机台预留质量流量计固定位置； 设计旁抽机构，便于维持工作气体的气压。
	基片加热	基片尺寸2英寸； 加热机构采用SiC加热片； 配备温控电源，基片加热温度800摄氏度以上，误差小于1度； 基片台可以作四维移动，径向可动范围于100mm，横向可动范围为2 0mm； 面内旋转电机驱动，*高转速≥30转/分，连续可调基片尺寸2英寸；
	磁控溅射靶枪	配备3套磁控溅射靶（其中一套为强磁靶），靶材尺寸2英寸，可实现共焦溅射 配备直流溅射电源(*大功率1000 W)一台、射频电源(*大功率500 W)和匹配箱各一台； 溅射靶的靶头倾角可调，自带挡板；
	氩离子枪	配备氩离子枪和控制电源； 氩离子能量0-2keV连续可调，束斑尺寸可调； 配备专用气体导入微调阀。
	膜厚	石英振荡膜厚仪 监测薄膜成长速度0.1～9999.9Å./S 检测薄膜厚度范围1～9999Å 振动频率6MHz，水冷构造，连接法兰CF35。
	水冷	冷却循环水机制冷功率≥12kW； 采用分体式设计
	其他	铝合金架台，带脚轮，高度可调； 标准电源柜，上述所有部件中涉及到控温、旋转、气体流量控制等电控操作的部件均配备对应的控制电源或控制器； 冷却水排； 触摸屏及相关控制软件。
功能		脉冲激光沉积室可实现指定样品RHEED震荡监控（以SrTiO3衬底上同质外延生长为验收标准，震荡周期数目不低于20个周期） 磁控溅射准备室可实现厚度≤2  nm的薄膜样品可控制备（以Fe薄膜为验收标准）