产品详情
  • 产品名称:等离子增强CVD系统

  • 产品型号:CY-PECVD-T01
  • 产品厂商:成越科仪
  • 产品文档:
你添加了1件商品 查看购物车
简单介绍:
等离子增强CVD系统由等离子发生器,三温区管式炉、单温区管式炉、射频电源、真空系统组成。等离子增强CVD系统为了使化学反应能在较低的温度下进行,利用了等离子体的活性来促进反应,因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积法(PECVD), 该PECVD石墨烯薄膜制备设备借助13.56Mhz的射频输出等使含有薄膜组成原子的气体电离,在真空腔体内形成等离子体,利用等离子的强化学活性,改善反应条件,利用等离子体的活性来促进反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。
详情介绍:

等离子增强CVD系统可以用于:石墨烯制备、硫化物制备、纳米材料制备等多种试验场所。可在片状或类似形状样品表面沉积SiOxSiNx、非晶硅、微晶硅、纳米硅、SiC、类金刚石等多种薄膜,并可沉积p型、n型掺杂薄膜。沉积的薄膜具有良好的均匀性、致密性、粘附性、绝缘性。广泛应用于刀具、高精模具、硬质涂层、高duan装饰等领域。

等离子增强CVD系统技术参数:

产品型号

CY-O1200-50IIIT

炉管材质

高纯石英

炉管直径

50mm

炉管长度

2830mm

炉膛长度

660mm

加热区长

200mm+200mm+200mm

工作温度

01100

控温精度

±1

控温模式

30段或50段程序控温

显示模式

LCD

密封方式

304不锈钢真空法兰

法兰接口

1/4英寸卡套接头,KF16/25/40接头

可抽真空

4.4E-3Pa

供电电源

AC:220V 50/60Hz

产品型号

CY-O1200-50IT

炉管材质

高纯石英

炉管直径

50mm

炉管长度

2830mm

炉膛长度

440mm

加热区长

400mm

恒温区长

200mm

工作温度

01100

控温精度

±1

控温模式

30段或50段程序控温

显示模式

LCD

密封方式

304不锈钢真空法兰

法兰接口

1/4英寸卡套接头,KF16/25/40接头

可抽真空

4.4E-3Pa

供电电源

AC:220V 50/60Hz

RF

功率范围

0~500W可调

工作频率

13.56MHz+0.005%

工作模式

连续输出

显示模式

LCD

匹配阻抗模式

能够匹配,起辉均匀布满三温区炉管

功率稳定度

2W

正常工作反射功率

3W

放大反射功率

70W

谐波分量

-50dBc

整机效率

70%

功率因素

90%

供电电压/频率

单相交流187V~153V) 频率50/60Hz

控制模式

内控/PLC 模拟量/RS232/485通讯

电源保护设置

DC过流保护,功放过温保护,反射功率保护

冷却方式

强制风冷

起辉长度

在Ar下射频电源与线圈配合起辉辉光能布满三个温区的炉体长度

四路质子流量计

质子流量计

流量范围

MFC1量程:0~200sccm  MFC2量程:0~200sccm

MFC3量程:0~500sccm  MFC4量程:0~500sccm

分别对应气体H2 CH4 N2 Ar

测量精度

±1.5%F.S

重复精度

±0.2%FS

线性精度

±1%F.S.

响应时间

4s

工作压力

-0.15Mpa~0.15Mpa

流量控制

液晶触摸屏控制,数字显示,每路气体含有针阀单独控制

进气接口

可接1/4NPS或者外径6mm不锈钢管

出气接口

可接1/4NPS或者外径6mm不锈钢管

连接方式

双卡套接头

工作温度

5~45

气体预混

配气体预混装置

机械泵

旋片泵

抽气速率

1.1L/S   

排气接口

KF16

真空测量

电阻规

极限真空

1.1E-1Pa

供电电源

AC:220V 50/60Hz

抽气接口

KF16

轨道

轨道长度

2.5~3

能实现三温区炉子一个炉位长度的滑动,实现快速升降温

免责声明:本站产品介绍内容(包括产品图片、产品描述、技术参数等),仅供参考。可能由于更新不及时,会造成所述内容与实际情况存在一定的差异,请与本公司销售人员联系确认。本站提供的信息不构成任何要约或承诺,本公司会不定期完善和修改网站任何信息,恕不另行通知,请您见谅。

豫公网安备 41019702002438号