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CVD（化学气相沉积）气相沉积系统是一种常用的薄膜制备技术，通过在高温下将气体反应物质与基底表面反应，形成薄膜。
1. 反应室温度：通常在几百到千度之间，具体取决于所需的反应温度和材料。
2. 反应气体：根据所需的薄膜材料和结构，可以使用不同的反应气体，如氨气、氢气、氧气、二氧化硅等。
3. 压力范围：通常在几百帕到几千帕之间，具体取决于反应物质和反应条件。
4. 反应时间：根据所需的薄膜厚度和质量，反应时间可以从几分钟到几小时不等。
5. 基底材料：CVD系统可以用于各种基底材料，如硅、玻璃、金属等。
6. 应用领域：CVD气相沉积系统广泛应用于材料科学和工程领域，用于制备各种功能性薄膜，如金属薄膜、氧化物薄膜、氮化物薄膜、碳纳米管等。它在半导体、光电子、能源、生物医学等领域都有重要应用
技术参数：
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射频电源 |
信号频率 |
13.56MHz±0.005% |
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功率输出 |
0~300W |
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*大反射功率 |
100W |
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反射功率 |
<3W (*大功率时) |
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功率稳定性 |
±0.1% |
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管式炉 |
管子材质 |
高纯石英 |
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管子外径 |
100mm |
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炉膛长度 |
440mm |
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加热区长度 |
200mm+200mm (双温区) |
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连续工作温度 |
≦1100℃ |
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温控精度 |
±1℃ |
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温控模式 |
30段程序控温 |
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显示模式 |
LCD触摸屏 |
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密封方式 |
304 不锈钢真空法兰 |
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供气系统 |
通道数 |
6通道 |
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测量单元 |
质量流量计 |
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测量范围 |
A 通道: 0～200SCCM， 气体为H2 |
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B 通道: 0～200SCCM，气体为CH4 |
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C 通道: 0～200SCCM，气体为 C2H4 |
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D通道: 0～500SCCM，气体为 N2 |
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E通道: 0～500SCCM，气体为 NH3 |
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F通道: 0～500SCCM， 气体为 Ar |
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测量精度 |
±1.5%F.S |
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工作压差 |
-0.15Mpa~0.15Mpa |
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接头规格 |
1/4" 卡套接头 |
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气体混合罐 |
1L |
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真空系统 |
机械泵 |
双极旋片泵 |
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抽速 |
1.1L/S |
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真空测量 |
电阻规 |
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极限真空 |
0.1Pa |
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抽气接口 |
KF16 |
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滑轨 |
炉体可以滑动，实现快速降温 |
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供电电源 |
AC220V 50Hz |
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