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等离子增强CVD系统由等离子发生器，三温区管式炉、射频电源、真空系统组成。等离子增强CVD系统为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）， 该PECVD石墨烯薄膜制备设备借助13.56Mhz的射频输出等使含有薄膜组成原子的气体电离，在真空腔体内形成等离子体，利用等离子的强化学活性，改善反应条件，利用等离子体的活性来促进反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。
三温区PECVD应用范围：
等离子增强CVD系统可以用于：石墨烯制备、硫化物制备、纳米材料制备等多种试验场所。可在片状或类似形状样品表面沉积SiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、纳米硅、SiC、类金刚石等多种薄膜，并可沉积p型、n型掺杂薄膜。沉积的薄膜具有良好的均匀性、致密性、粘附性、绝缘性。广泛应用于刀具、高精模具、硬质涂层、高duan装饰等领域
三温区PECVD技术参数:
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产品名称 |
三温区PECVD |
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产品型号 |
CY-PECVD-T01 |
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三温区管式炉 |
工作温度：0-1100℃ 控温精度：±1℃ 控温方式：AI-PID 30段工艺曲线，可存储多条 炉管材质：高纯石英 炉管尺寸：φ50mm I.D x 1400mm L 加热温区：三温区 200mm+200mm+200mm 密封方式：不锈钢真空法兰 极限真空度：4.4E-3Pa |
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射频电源 |
输出功率：0-300W zui大可调±1% RF频率： 13.56MHz，稳定性±0.005% 噪声：≤55DB 冷却：风冷 |
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质量流量计 |
三路质量流量计 阀门类型：不锈钢针阀 气路数量：三路 承压范围：-0.15Mpa~0.15Mpa 量程 1~200 SCCM 1~200 SCCM 1~500 SCCM 流量控制范围：±1.5% 气路材料：304不锈钢 管道接口：6.35mm卡套接头 |
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真空系统 |
配有一套分子泵系统,采用一键式操作 600L/S |
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水冷系统 |
CW-3200 |
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电压 |
220V 50HZ |
