R-PECVD真空旋转等离子增强CVD设备 TN-R-PECVD - 郑州成越科学仪器有限公司

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产品名称：R-PECVD真空旋转等离子增强CVD设备
产品型号：TN-R-PECVD
产品厂商：成越科仪
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简单介绍：

R-PECVD真空旋转等离子增强CVD设备由旋转及倾斜机构、单温区管式炉、等离子发生机构、质量流量计供气系统、高真空分子泵组部分构成。R-PECVD真空旋转等离子增强CVD设备利用旋转和倾斜机构实现连续生产，并且可以使颗粒型样品表面均匀生长产物。

详情介绍：

R-PECVD真空旋转等离子增强CVD设备（1200℃单温区 4路MFC）设备由旋转及倾斜机构、单温区管式炉、等离子发生机构、质量流量计供气系统、高真空分子泵组等部分构成。

特点：

1. 相比于其他的石墨烯制备设备，能提供更高的基底真空，提高产物质量；
2. 能够利用旋转和倾斜机构实现连续生产，使颗粒型样品表面均匀生长产物；
3. 等离子发生装置能够显著降低反应温度，提高反应效率。

技术参数：

单温区管式炉	产品型号	CY-O1200-100IT
	炉管材质	高纯石英
	炉管直径	100mm
	炉管长度	1500mm
	炉膛长度	440mm
	加热区长	400mm
	恒温区长	200mm
	工作温度	0～1100℃
	控温精度	±1℃
	控温模式	30段或50段程序控温
	显示模式	高清全彩LCD触控屏
	密封方式	304不锈钢真空法兰
	供电电源	AC:220V 50/60Hz
RF输出系统	功率范围	0~500W可调
	工作频率	13.56MHz+0.005%
	工作模式	连续输出
	匹配阻抗模式	能够匹配，起辉均匀布满炉管
	功率稳定度	≤2W
	正常工作反射功率	≤3W
	放大反射功率	≤70W
	谐波分量	≤-50dBc
	整机效率	≥70%
	功率因素	≥90%
	供电电压/频率	单相交流（187V~153V）频率50/60Hz
	控制模式	内控/PLC 模拟量/RS232/485通讯
	电源保护设置	DC过流保护，功放过温保护，反射功率保护
	冷却方式	强制风冷
	起辉长度	在Ar下射频电源与线圈配合起辉辉光能布满炉管
供气系统	流量计	四路质子流量计
	流量范围	MFC1量程：0~200sccm MFC2量程：0~200sccm MFC3量程：0~500sccm MFC4量程：0~500sccm 分别对应气体H2、 CH4、 N2、 Ar.
	测量精度	±1.5%F.S
	重复精度	±0.2%FS
	线性精度	±1%F.S.
	响应时间	≤4s
	工作压力	-0.15Mpa~0.15Mpa
	流量控制	液晶触摸屏控制，数字显示，每路气体含有针阀单独控制
	进气接口	可接1/4NPS或者外径6mm不锈钢管
	出气接口	可接1/4NPS或者外径6mm不锈钢管
	连接方式	双卡套接头
	工作温度	5~45℃
	气体预混	配气体预混装置
排气系统	产品型号	CY-GZK103-A
	分子泵	涡轮分子泵
	前级泵	双级旋片泵
	抽气速率	分子泵：600L/S	综合抽气性能：30分钟真空度可达：5×10E-3Pa
		旋片泵：1.1L/S
	极限真空	5×10E-4Pa
	抽气接口	KF40
	排气接口	KF16
	真空测量	复合真空计
旋转及倾斜装置	转速范围	0-20rpm
	倾斜角度	0-15°
	进出料	自动进料，倾斜后可自动集料

产品名称：R-PECVD​真空旋转等离子增强CVD设备

产品名称：R-PECVD真空旋转等离子增强CVD设备