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晶圆级大尺寸二硫化钼制备CVD设备（1150 三温区 3路MFC）
本设备为基于CVD原理设计的晶圆级大尺寸二硫化钼制备装置。包括三温区管式炉，特殊设计的炉管及配套气路一组。该设备通过特殊设计的管路，能够将反应气体均匀的释放于炉管，确保后端晶圆上的产物的一致性和均匀性。是二硫化钼制备实验的不二之选。
特点
1.特殊管路设计，反应气体均匀的释放
2.二硫化钼制备不二之选
技术参数：
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产品型号 |
CY-O1200-120III-IC-3Z-MoS2 |
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炉管材质 |
高纯石英 |
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炉管规格 |
外部大石英管 φ120mm x1000mm 内部小石英管 φ25mm x820mm x7根 |
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温区长度 |
三温区200mm+200mm+200mm |
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控温精度 |
±1℃ |
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温度曲线 |
三温区独立控温，每个温区均可设置30段时间温度曲线 |
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工作温度 |
0~1150℃ |
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升温速率 |
≤10℃/min |
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进气系统 |
三路质量流量计Ar气0~500sccm N2气0~200sccm H2气0~200sccm 配有七路分气、混气气路及混气灌。 |
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炉管法兰 |
不锈钢水冷法兰，配有KF16真空接口，机械式真空计及不锈钢针阀 |
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供电要求 |
AC 220V 50Hz 4kW |
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控制方式 |
7英寸触控屏 |
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真空泵 |
双极旋片真空泵 |
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真空度 |
理论极限真空度10^-1Pa |
