产品名称：CVD化学气相沉积系统

CVD（化学气相沉积）气相沉积系统是一种常用的薄膜制备技术，通过在高温下将气体反应物质与基底表面反应，形成薄膜。

1. 反应室温度：通常在几百到千度之间，具体取决于所需的反应温度和材料。

2. 反应气体：根据所需的薄膜材料和结构，可以使用不同的反应气体，如氨气、氢气、氧气、二氧化硅等。

3. 压力范围：通常在几百帕到几千帕之间，具体取决于反应物质和反应条件。

4. 反应时间：根据所需的薄膜厚度和质量，反应时间可以从几分钟到几小时不等。

5. 基底材料：CVD系统可以用于各种基底材料，如硅、玻璃、金属等。

6. 应用领域：CVD气相沉积系统广泛应用于材料科学和工程领域，用于制备各种功能性薄膜，如金属薄膜、氧化物薄膜、氮化物薄膜、碳纳米管等。它在半导体、光电子、能源、生物医学等领域都有重要应用。

技术参数:

产品名称	CVD化学气相沉积系统
产品型号	CY-PECVD100-1200-Q
频电源	信号频率	13.56MHz±0.005%
	功率输出	0~300W
	*大反射功率	100W
	反射功率	<3W (*大功率时)
	功率稳定性	±0.1%
管式炉	管子材质	高纯石英
	管子外径	100mm
	炉膛长度	440mm
	加热区长度	200mm+200mm (双温区)
	连续工作温度	≦1100℃
	温控精度	±1℃
	温控模式	30段程序控温
	显示模式	LCD触摸屏
	密封方式	304 不锈钢真空法兰
供气系统	通道数	6通道
	测量单元	质量流量计
	测量范围	A 通道: 0～200SCCM， 气体为H2
		B 通道: 0～200SCCM，气体为CH4
		C 通道: 0～200SCCM，气体为 C2H4
		D通道: 0～500SCCM，气体为 N2
		E通道: 0～500SCCM，气体为 NH3
		F通道: 0～500SCCM， 气体为 Ar
	测量精度	±1.5%F.S
	工作压差	-0.15Mpa~0.15Mpa
	接头规格	1/4" 卡套接头
	气体混合罐	1L
真空系统	机械泵	双极旋片泵
	抽速	1.1L/S
	真空测量	电阻规
	极限真空	0.1Pa
	抽气接口	KF16
滑　　轨	炉体可以滑动，实现快速降温
供电电源	AC220V 50Hz