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主要功能及特点：
PECVD设备利用平板电容式辉光放电原理，将通入沉积室的工艺气体解离并产生等离子体，被解离的基团在等离子体中重新发生化学反应，由于等离子体存在，促进气体分子的分解、化合、激发和电离，促进反应活性基团的生成，从而降低沉积温度，在具有一定温度的基片上沉积形成薄膜。可根据工艺调节等离子体的密度和能量，控制薄膜的生长速率和微结构。
产品参数：
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产品型号 |
CY-PECVD-240化学气相沉积设备 |
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安装条件 |
本设备要求在海拔1000m以下，温度25℃±15℃，湿度55%Rh±10%Rh下使用。 1、水：设备配有自循环冷却水机（加注纯净水或者去离子水） 2、电：AC220V 50Hz，必须有良好接地 3、气：设备腔室内需充注氮/氩气（纯度99.99%以上），需自备实验所需气体气瓶（自带Ø10mm双卡套接头）及减压阀 4、通风装置：需要 |
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主要特点 |
1、所需成膜温度低 2、沉积速率快，应用广泛 3、体积小，操作简便 4、采用射频为增强源易于控制 5、清理安装便捷。 6、一体化触摸屏控制 |
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射频电源 |
信号频率：13.56MHz±0.005% 功率输出：0~500W 反射功率：<3W（*大功率） 功率稳定性：±0.1% |
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真空腔体 |
采用样品台在下方，供气喷头在上方的电容耦合方式。 样品台加热：RT-1000℃以上，温控精度：±1°C 样品台转速：可调转速：1-20rpm可调 喷淋头：Φ100mm 间距40-100mm在线连续可调 样品台：直径100mm 真空腔体：前开门式，φ245mm X 300mm 不锈钢材质 观察窗：φ100mm 带挡板 |
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供气系统 |
测量范围 A通道: 0～200SCCM，气体为 Ar B通道: 0～200SCCM，气体为O2 C通道: 0～200SCCM，气体为N2 液体源：氩气或者氮气 接头规格:6.35mm卡套接头 |
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真空系统 |
接口类型 吸气口：KF40 排气口：G1” 排气速度 氮气：60L/S 带保护网时氮气：55L/S 轴承类型：陶瓷轴承，脂润滑 冷却方式：强制空冷 速度：69000rpm 启动时间：1.5〜2min 停止时间：15〜25min 压缩比N2：2x 107 压缩比H2：3x 103 *大允许背压：800Pa 轴承寿命为：20000小时 分子泵控制器：TC75 辅助泵类型：双级旋片真空泵 排气速度：160L/min |
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沉积工作室 |
0.133-40Pa（可根据工艺调整） |
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真空计 |
复合真空计 |
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水冷机 |
水流速：10L/min 功率：0.1Kw 冷却水温度：<37℃ |
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质保期 |
标准保修期1年 |
