ALD原子层沉积系统 CY-200S-ALD - 郑州成越科学仪器有限公司

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产品名称：ALD原子层沉积系统
产品型号：CY-200S-ALD
产品厂商：成越科仪
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简单介绍：

原子层沉积（ALD）系统是一种用于在基板表面沉积超薄膜的精密设备，具有原子级别的厚度控制能力。ALD系统通常用于半导体制造、纳米技术、光电器件、以及其他高科技领域

详情介绍：

原子层沉积（ALD）系统是一种用于在基板表面沉积超薄膜的精密设备，具有原子级别的厚度控制能力。ALD系统通常用于半导体制造、纳米技术、光电器件、以及其他高科技领域。

产品特点：

**的厚度控制：ALD通过交替引入不同的前驱体气体，在基板表面进行自限性反应，每次反应只沉积一个原子层，确保了膜厚的原子级别**控制。

均匀的薄膜覆盖：该系统能够在复杂的三维结构和高纵横比的基板上实现均匀的薄膜沉积，这在传统的沉积方法中较为困难。

广泛的材料兼容性：ALD系统可以沉积多种材料，包括氧化物、氮化物、金属和合金等，适应不同的工艺需求。

高质量薄膜：沉积的薄膜具有高密度、低缺陷和优良的电学和机械性能，适用于高要求的应用场景。

温和的工艺条件：ALD工艺通常在较低温度下进行，有利于在热敏感材料或器件上沉积薄膜。

技术参数：

型号	CY-200S-ALD
反应腔	可以生长大 8 英寸方形样品的标准腔体，标准大样品高度 20mm；。基底加热温度 RT-400℃可控，控制精度±1℃；腔体烘烤温度 RT-200℃可控，控制精度±1℃
沉积模式	包括以下 2 种工作模式：高速沉积的连续模式 TM （Flow TM ）沉积超高宽深比结构的停流模式 TM （StopFlow TM ）
前驱体源	共 5 路前驱体源；1 路为常温源，4 路为加热源，加热温度 RT-200℃可控，控制精度±1℃；加热源配备高温手动阀；标准前驱体源瓶体积 50cc。 1 路为常温源可接水/臭氧/氧气/氨气/H2S 源等，制备氧化物，氮化物和硫化物。任意一路加热源可接相关前驱体源。
前驱体管路	所有前驱体管路全部采用 316L 不锈钢 EP 级管路，所有管路加热温度RT-150℃可控。
ALD 阀	每一路前驱体配置一个原子层沉积专用高速高温 ALD 阀；ALD 阀采用系统集成的表面安装，维修更换时可以用盲板代替；阀体加热温度RT-150℃可控
真空规	进口宽范围真空规，测量范围 2x10-4 to 10+3torr
排气管路	排气管路加热温度 RT-150℃可控；配置截止阀一个，加热温度 RT-150℃可控。
臭氧发生器系统	高浓度臭氧发生器，包括管路，裂解器附件；高产量>15g/h，功率0~300W可调，大浓度>3.5%(w/w)
升级接口	升级6路前驱体源的升级接口；用于原位升级微波等离子体源或者分子动能系统的硬件软件接口；以上升级接口可以实现原位升级，无需将设备返回厂家。
控制硬件	PLC 控制系统。
控制软件	autoALDTM专用软件全自动控制加热、流量、等全部沉积过程，以及温度、压强等实时监控。
真空机械泵	型号：TRP-6。
保修	1 年免费保修，自验收之日起。
安装培训	工程师现场安装培训。

主要部件：

部件名称	部件说明
主机	8 英寸方形原子层沉积系统包括： 5路前驱体源, 包括管路、高温ALD阀门、50ml 源瓶， 4路为加热源，1路为常温源沉积自动控制系统, autoALDTM沉积程序控制软件, 预装Windows TM的笔记本电脑,
臭氧发生器系统	高浓度臭氧发生器，包括管路，裂解器附件高产量>15g/h，大浓度>3.5%(w/w)
高样品腔盖	用于装载高(适合高样品高度 ≤ 20 mm)样品
真空机械泵系统	机械泵与相关管路真空机械泵型号：北仪优成 TRP-6