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一、应用领域
1.第三代半导体:SiC、AlN单晶衬底
2.光电子材料:蓝宝石、铌酸锂、钽酸锂
3.激光与闪烁晶体:YAG、Nd:YAG、LYSO、YSO
4.红外探测晶体:ZnSe、ZnS、CdTe
5.半导体硅、锗单晶,CVD金刚石等功能单晶
二、技术参数:
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名称 |
设备参数 |
指标值 |
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设备规格 |
外形尺寸(长x宽x高) |
3350x280x3750mm |
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水冷系统 |
水压 |
0.3~0.5MPa |
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流量 |
80L/min |
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气路系统 |
气压 |
0.4~0.6MPa, |
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炉膛系统 |
开门方式 |
罐体式前开门 |
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内腔尺寸 |
Φ900mmxH1200mm |
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门开口尺寸 |
530mmx1200mm |
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极限真空 |
8E-4Pa |
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整体漏率 |
≤5Pa/12h |
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加热系统 |
加热方式 |
感应加热 |
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电源额定功率 |
60kw |
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双速提拉系统 |
系统分辨率 |
0.001mm |
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称重精度 |
0.01g |
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丝杆 |
有效行程 |
600mm |
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拉速 |
快速范围 |
0~2500mm/h |
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慢速范围 |
0.1~5mm/h |
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转晶模组 |
设计速度 |
150rpm Max |
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生长时转速 |
30rpm Max |
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适用产品 |
红宝石、蓝宝石、人造钇铝榴石(YAG).人造钆镓榴石(GGG)、金绿宝石、变石和尖晶石等人工晶体 |
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