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产品名称：生长硅、锗、砷化镓晶体用开放式提拉炉
产品型号：CY-P-GF700-C
产品厂商：成越科仪
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简单介绍：

开放式提拉炉（直拉法单晶炉）是采用籽晶提拉、定向凝固工艺，在惰性气氛或加压气氛环境下生长半导体单晶的专用高温设备

详情介绍：

开放式提拉炉（直拉法单晶炉）是采用籽晶提拉、定向凝固工艺，在惰性气氛或加压气氛环境下生长半导体单晶的专用高温设备。炉体配备高精度温场与提拉、旋转控制系统，通过对温度梯度、提拉速度和旋转转速的精准调控，实现单晶的连续稳定生长；主要用于硅、锗、砷化镓等半导体单晶的研发与量产，其中砷化镓单晶常用液封直拉（LEC）工艺。

二、应用领域

Name: 生长硅、锗、砷化镓晶体用开放式提拉炉
Brand: 成越科仪
SKU: CY-P-GF700-C

· 单晶硅（Si）：集成电路与光伏领域用直拉单晶

· 单晶锗（Ge）：红外光学器件、射线探测器用衬底

· 砷化镓（GaAs）：化合物半导体，射频与光电子器件衬底（液封直拉 LEC）

· 其他：锗硅合金、部分氧化物单晶等

三、核心优势

开放式提拉炉是一种炉口开放式提拉单晶体生长设备。
1.高精度速度控制，实现晶体提拉速度高低速自由切换，满足不同晶体的生长需求；
2.采用感应加热方式，实现热场的稳定和坩埚受热更均匀；
3.解决了传统真空环境才能实现晶体生长的问题,并提高了设备的anquan性；
4.内置石英管结构，提供稳定的长晶环境，利于生长高品质晶体；
5.高精度称重传感器稳定反馈，实时控制晶体拉速、转速、加热功率，实现晶体全自动生长；

四、技术参数：

名称	设备参数		指标值
设备规格	外形尺寸(长x宽x高)		1200x1500x2800mm
水冷系统	水压		0.3~0.5MPa
	流量		40L/min
气路系统	气压		0.4~0.6MPa,
炉膛系统	内腔尺寸		Φ700mmxH800mm
	石英管尺寸		内径Φ230mmxH800mmx厚4mm
加热系统	加热方式		感应加热
	电源额定功率		60kw
双速提拉系统	系统分辨率		0.001mm
	称重精度		0.01g
	丝杆	有效行程	600mm
	拉速	快速范围	0~2500mm/h
		慢速范围	0.1~5mm/h
转晶模组	设计速度		150rpm Max
	生长时转速		30rpm Max
适用产品	硅、锗、砷化镓、YAG(钇铝石榴石)、LS0等人工晶体

产品名称：生长硅、锗、砷化镓晶体用开放式提拉炉

二、应用领域

三、核心优势